Поскольку интегральные схемы и их компоненты продолжают уменьшаться, размеры металлических межсоединений и контактов между компонентами также уменьшаются. Одним из результатов этой тенденции является то, что сопротивление в этих соединениях увеличивается. Для получения более компактных, более быстрых электронных устройств, сопротивление в них должно быть сведено к минимуму.

Эффект замедления, создаваемый высоким сопротивлением, часто называют резистивно-емкостной задержкой (или RC задержкой) и влияет он на цепи по-разному. Одним из негативных эффектов является то, что RC-задержка может ухудшить скорость, с которой данные записываются и считываются с DRAM-структур через разрядную линию. Кроме того, высокое сопротивление приводит к более высокой потребляемой мощности, что является нежелательным побочным эффектом для мобильных технологий.

Другим побочным продуктом минютиаризации является то, что с увеличением функциональной плотности в схемах растут и пропорции. Следовательно, становится все сложнее осаждать пленки нижнего покрытия, необходимые для нужных электрических характеристик конечных устройств. Особенно важными в DRAMструктурах являются границы между полупроводником и металлом, т. е. между активной областью и первым уровнем металлического межсоединения. Для достижения быстрой и максимальной передачи заряда через эти границы, используется материал с низким удельным сопротивлением (силицид кобальта); эффективность этого покрытия зависит от осаждения слояс необходимой толщиной и равномерностью.

Усовершенствованная установка Endura Cirrus HT Co PVD обеспечивает необходимое покрытие силицидом, которое позволяет устранить недостатки сокращения площади контакта и растущих пропорций. Используя высокочастотный источник для получения вещества, содержащего концентрацию ионов металлов гораздо более высокую, по сравнению с возможностями других источников технологий, система позволяет создавать нижнее покрытие необходимой толщины и равномерности с высоким аспектным соотношением. Отрицательное напряжение на пластине направляет положительные ионы металлов в узкие отверстия; так, как большинство ионов металлов являются свободными, покрытие в нижней части контактных отверстий в два или три раза превышает толщину, которую можно получить с использованием других современных технологий. Следовательно, образуется прочный слой силицида кобальта, который убирает барьеры для переноса заряда между металлом и полупроводником.

Задача омических контактов

В устройстве памяти омические контакты (границы полупроводник-металл) соединяют активную область и металлическое межсоединение. По мере продолжения процесса уменьшения размеров элементов памяти, область омического контакта сжимается примерно на 70% по отношению к узлу, в то время как пропорционально увеличиваются характеристики, которыми должен обладать силицид, в частности, быть осаждён с низким удельным сопротивлением при образовании контакта. В 1нм DRAM эти два фактора затрудняют формирование слоя силицида кобальта, достаточно объёмного, чтобы обеспечить быструю и надежную передачу электрического заряда из активной области контакта на верхние уровни межсоединения и обратно.