Революционная технология физического осаждения из паровой фазы (PVD) тонких пленок нитрида титана (TiN) Endura Cirrus HTXTiN решает проблемы с жесткостью масок для устройств следующего поколения. Поскольку размеры микроэлементов продолжают сокращаться, инновации имеют решающее значение для точного формирования рельефов все более сложных мельчайших межсоединительных структур. Используя многолетний опыт в использовании физического осаждения из паровой фазы, новая система создает прорывную жесткую маску, которая обеспечивает точность структуры для 10-нм элементов.

По мере усложнения микрочипов, их габариты уменьшаются, а отношение ширины к длине увеличивается за счёт сжатия и плотной упаковки при создании передовых интегральных схем. Следовательно, надежность материалов, используемых для определения шаблонов, вытравки и металлизации для создания схем (или межсоединений) важна для сохранения целостности этих моделей. Малейший недостаток может привести к невозможности правильной металлизации устройства, что делает его ненадежным или неправильно функционирующим.

Нитрид титана (TiN) был стандартным материалом при изготовлении межсоединений для жесткой маски, используемым для нанесения диэлектрика с низкой диэлектрической проницаемостью. Однако, по мере того, как диэлектрик постепенно становился более пористым для снижения емкости устройства на сверхточных узлах, он становился более хрупким и восприимчивым к искажениям после травления (изменение характеристики и изменение состава, вызванные напряжением сжатия располагающейся выше маски TiN). Ослабление этого естественного напряжение сжатия привило к уменьшению плотности пленки, необходимое для противодействия процессу травления.

Для качественного изменения система EnduraCirrus HTX PVD использует сверхвысокочастотный источник для достижения высокой ионизации плазмы, что облегчает изменение ориентации кристаллов пленки, тем самым выбирая оптимальное соотношение между напряжением и плотностью. Полученный состав TiN достигает идеального сочетания растягивающих напряжений и высокой плотности, что приводит к лучшей селективности травления, контролю ширины линии CD и выравниванию наложения, а также точности сложных схем. Сочетание высокой однородности толщины пленки и низкой дефектности позволяет новой системе минимизировать изменчивость и производить исключительно точное формирование рельефа.