Описание

Система монтажа кристаллов Esec 2100 hS является самой гибкой 300-миллиметровой высокоскоростной платформой 3-го поколения, которая способна работать в широком диапазоне областей применения при монтаже кристаллов с использованием эпоксидного клея на корпусах типов: QFN, TSOP, QFP, BGA, CSP-BGA, SiP-BGA, FBGA и LGA. Система проста в эксплуатации, управлении производством и обеспечивает существенное повышение производительности и увеличение выхода готовой продукции при минимальной эксплуатационной стоимости. При выходе на рынок данная инновационная концепция платформы получила престижную награду SwissTechnologyAward (конкурс в области технологических решений, состоявшийся в Швейцарии).

 

Основные характеристики

Передовая технология обработки краев

• Мониторинг процесса в режиме реального времени с помощью 4 изображений зоны обработки
• Постоянный контроль статуса процесса в режиме реального времени с помощью устройства отображения подложки, ленты и магазина
• Эффективное освоение и устранение ошибок с помощью сервиса контекстно-зависимой онлайн-помощи

Высочайшее время пребывания в работающем состоянии

• Мониторинг процесса в режиме реального времени с помощью 4 изображений зон обработки
• Постоянный контроль статуса процесса в режиме реального времени с помощью устройства отображения подложки, ленты и магазина
• Эффективное освоение и устранение ошибок с помощью сервиса контекстно-зависимой онлайн-помощи

Высочайшая скорость с точностью 20 мкм

• Сверхмалое время цикла монтажа кристаллов в системе «Захват и размещение» (Pick&Place) благодаря революционной концепции Phi-Y, сочетающей вращательные и поступательные движения
• Новая «легкая и уверенная» система монтажа кристаллов «Захват и размещение» (Pick&Place), система расширенного управления траекторией, а также система жидкостного охлаждения, обеспечивают высочайшую точность при максимальной скорости
• Точность монтажа до 15 мкм (на 3σ) с использованием режима высокой точности

Самое малое время на обработку заготовки

• Демонтаж оснастки для определенных частей заготовки для быстрой переналадки на обработку другой заготовки
• Мастера калибровки и настройки, верификация параметров предотвращают появление ошибок в настройках
• Передача набора команд с одной установки на другую обеспечивает быстрое преобразование
• Поддерживаются горячие и холодные методы монтажа кристаллов: эпоксидная смола, пайка, термокомпрессионная сварка, эвтектическая пайка

Платформа будущего

• Новое оборудование контроллера с управляющей коммуникационной сетью GigabitEthernet обеспечивает расширенные возможности монтажа кристаллов
• Платформа нового поколения позволяет в любое время расширять аппаратную часть и функциональные возможности
• Масштабируемость производительности и диапазона областей применения

 

Опции

Манипулятор для подложек

• Двойная загрузка (MHIN и TOS)
• Кассетная загрузка (только MHIN)
• Прижим направляющей
• Моторизованный прижим для заготовок на этапахдозирования/сварки
• Устройство маркировки ленты
• Устройство компенсации толщины ленты
• Устройство подачи ленты (100 мм с нагревом направляющей)
• Устройство подачи ленты (100 мм с подогревом поверхности)
• Устройство подачи ленты (100 мм с охлаждаемой поверхностью)
• Устройство подачи ленты (100 мм с подогревом для корпусов типа tQFN)
• Устройство подачи ленты (100 мм с охлаждением для корпусов типа tQFN)
• Устройство подачи ленты (75 мм с охлаждением направляющей)
• Интерфейс SМEMA для загрузки
• Интерфейс SМEMA для выгрузки

 

Система дозирования

• Датчик уровня эпоксидного слоя PDS
• Станция предварительного дозирования и очистки дозатора PDS
• Процесс мульти-нанесения
   

Система монтажа кристаллов «Захват и размещение» (Pick&Place)

• Система жидкостного охлаждения
• Датчик массового расхода кристаллов
• Комплект монтажа мелкоразмерных кристаллов
• Режим высокой точности
   

Система визуального контроля

• Непрямая подсветка (BVI/DVI)
• Вертикальная непрямая подсветка зоны дозирования (DVIILL)
• Проверка качества дозирования
• Проверка качества прочности сварки
• Вертикальная непрямая подсветка зоны сварки (BVIILL)
   

Автоматизация

• Составление карт годности кристаллов на подложке, включая конвертор файлов
• Интерфейс сетевой связи
• Составление карт годности для подложек E142 (требуется CSR)
   

Прочее

• Блок бесперебойного питания ПК
• Ионизатор для зон захвата
• Ионизатор для зон сварки
• Ионизатор для управляемых зон захвата (IONC-P)
• Ионизатор для управляемых зон захвата (IONC-B)
• Ионизатор для управляемых зон захвата (IONC-D)
• Ионизатор для управляемой загрузки (верх) WH (IONC-WT)
• Ионизатор для управляемой загрузки (низ) WH (IONC-WB)
• Ионизатор для управляемой загрузки магазина (IONC-MHIN)
• Фильтр тонкой очистки
• Фильтр тонкой очистки с датчиком частиц воздуха

 

Технические характеристики

Метод сварки	Эпоксидная смола
Время цикла	120 мс с функцией жидкостного охлаждения
Точность сварки	20 мкм на 3σ (с функцией на15 мкм)
Габаритные размеры подложки	4 - 12 дюймов (с рамкой подложки 8 или 12 дюймов)
Размер кристалла	0,25 мм (с комплектом монтажа мелкоразмерных кристаллов) до 20 мм
Размеры выводной рамки	Длина: 90 - 300 мм Ширина: 23 до 100 мм
Габаритные размеры системы монтажа кристаллов Esec 2100	1785 x 1448 x 1400 мм (Ш x Г x В)