Наименование прибора: SP8M3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 3.9 nC
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 80 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.051 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналоги: SP8M3TB, SP8M3FU6TB, IRF7319, AF4502C, По некоторым данным могут быть заменителями или аналогами: AO4600, AO4606, KDS4559, FDS8958, IRF7319, IRF7343, IRF7389, IRF7309, Nikos P2103NV, AO4406 4825 4336 4413 4835B 4835D 4808B MOS AO4406 4825 4336 4413 4835B 4835D