AUIRGP50B60PD1, Auto IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC] Из магазина Пр-во: IR Технология/семейство: npt Наличие - фото 1 - id-p98474916

Характеристики и описание

AUIRGP50B60PD1, Auto IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC] Из магазина Пр-во: IR Технология/семейство: npt Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.85 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 390 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 130 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247ac		19 BYN × от 15 шт. — 18.71 BYN
FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN] Из магазина Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: npt trench Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.65 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 312 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-3p
FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт, (=HGTG5N120BND), [TO-247] 3-4 дня Пр-во: Fairchild Технология/семейство: trench and fieldstop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 490 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-247g03		6.70 BYN × от 10 шт. — 6.58 BYN
FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247] Из магазина Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 115 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247		7.50 BYN × от 15 шт. — 7.42 BYN
FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 290Вт [TO-247] Из магазина Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-247		7.40 BYN × от 15 шт. — 7.32 BYN
FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247] Из магазина Пр-во: Fairchild Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 112 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247		8.30 BYN × от 15 шт. — 8.16 BYN
FGH40T100SMD, Транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт, [TO-247-3] 3-4 дня Пр-во: Fairchild Технология/семейство: trench and fieldstop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 29 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 285 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-247a03		9.10 BYN × от 15 шт. — 9.03 BYN
FGH60N60SFDTU, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247] Из магазина Пр-во: Fairchild Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 378 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 134 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247		9.60 BYN × от 10 шт. — 9.42 BYN
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247] Из магазина Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-247		12.50 BYN × от 15 шт. — 12.32 BYN
FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247] Из магазина Пр-во: Fairchild Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 126 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247		9.70 BYN × от 15 шт. — 9.58 BYN
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264] Из магазина Пр-во: Fairchild Технология/семейство: npt Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 64 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264		14 BYN × от 15 шт. — 13.65 BYN
FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3] 3-4 дня Пр-во: Fairchild Технология/семейство: npt trench Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 180 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 140 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 630 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264		8.10 BYN × от 15 шт. — 8.03 BYN
FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03] Из магазина Пр-во: Fairchild Технология/семейство: field stop Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 750 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 136 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-247d03		13.50 BYN × от 15 шт. — 13.13 BYN
GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN] 3-4 дня Пр-во: Toshiba Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.55 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 230 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 250 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 330 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-3p(n)		2.65 BYN × от 15 шт. — 2.58 BYN
GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P] 3-4 дня Пр-во: Toshiba Технология/семейство: gen4 Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 170 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 330 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 700 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: 2-21f2c		8.60 BYN × от 15 шт. — 8.48 BYN
HGT1S7N60C3DS9A, IGBT 600В 14А [D2-PAK] 3-4 дня Пр-во: Fairchild Технология/семейство: ufs Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 14 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 56 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 60 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: TO-263AB		1.95 BYN × от 15 шт. — 1.84 BYN
HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247] Из магазина Пр-во: ON Semiconductor Технология/семейство: npt Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 35 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 165 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247		5.80 BYN × от 15 шт. — 5.71 BYN
HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247] 3-4 дня Пр-во: Fairchild Технология/семейство: npt Наличие встроенного диода: да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 43 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 180 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-247		4.70 BYN × от 15 шт. — 4.55 BYN
HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247]